多项选择题
关于n型半导体，下列描述有误的是（）。
A.在低温弱电离区，n型半导体中费米能级位于导带底和杂质能级之间
B.强电离区的温度范围高于过渡区的温度范围
C.在强电离区，n型半导体中电子浓度近似等于杂质浓度，且不随温度发生变化
D.在计算过渡区内半导体的载流子浓度时无需考虑本征载流子的影响
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多项选择题
下列关于杂质半导体的描述有误的是（）。
A.杂质半导体中杂质浓度大于本征载流子浓度
B.杂质能级上可以容纳两个自旋相反的电子
C.杂质能级上电子的占据几率可以用标准的费米分布函数来描述
D.n型半导体中的载流子浓度等于杂质能级上电子的浓度 -
单项选择题
半导体中的电中性条件是（）。
A.
B.
C.
D.
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多项选择题
如果要提高半导体器件的工作温度，可以对制作器件的半导体材料做如下处理（）。
A.增加掺杂浓度
B.降低掺杂浓度
C.采用禁带宽度大的半导体材料
D.采用禁带宽度小的半导体材料
