多项选择题
区熔法描述正确的是（）
A.悬浮区熔法比直拉法出现晚
B.区熔法正发展成为单晶硅生产的一种重要方法
C.区熔法又叫悬浮区熔法、FZ法
D.区熔法工艺复杂，在硅单晶的生产中不常用
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多项选择题
下列关于直拉法的描述正确的是（）
A.直拉法设备和工艺比较简单，容易实现自动控制
B.原料不易被污染，生产的硅单晶纯度高，晶体品质容易控制
C.生产效率高，易于制备大直径单晶
D.容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低阻单晶 -
多项选择题
下列哪些是从熔体中生长单晶所用方法？（）
A.直拉法、区熔法
B.铸锭法、蹼状单晶生长法
C.汽相沉积法、外延法
D.基座法、生长片状单晶法 -
多项选择题
晶体生长实验证明，导致界面不稳定原因主要由下列几种因素引起的（）
A.太小的温度梯度
B.太快的生长速度
C.太小的溶体密度
D.太多的溶质
