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直拉单晶硅工艺学
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填空题
生长电阻率为10
-2
欧姆•厘米至10
-4
欧姆•厘米硅单晶时，硅单晶含杂质多，掺杂量大，一般用（）掺杂。
【参考答案】
纯元素掺杂剂
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填空题
以硅为例，若硅的纯度为9个“9”，即1立方厘米中含硅原子的百分数为（），也就是说1立方厘米的硅中含有的杂质占（）PPb。
填空题
硅单晶中含有0.1PPba的硼时，一立方厘米硅中所含的硼原子数为（）。
填空题
电离杂质原子使（）减小，使电阻率增大。
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