多项选择题
在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
A.电离杂质散射为主
B.晶格散射为主
C.本征激发起主要作用
D.杂质完全电离
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单项选择题
下列情形中，室温下扩散系数最小的为（）。
A.含硼1×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅
B.含硼2×1015cm-3、磷1×1015cm-3的硅
C.含硼2×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅
D.本征硅 -
单项选择题
对于中等掺杂的某半导体样品，T=450K时，其空穴扩散系数为15cm2/s，则空穴迁移率大约为（）cm2/V·s。
A.60
B.600
C.90
D.900 -
单项选择题
室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×106cm-3，掺杂浓度为ND=1015cm-3，电子和空穴的迁移率分别为8500cm2/V·s和400cm2/V·s。若外加电场强度为10V/cm，则其漂移电流密度为（）A/cm2。
A.1.36
B.13.6
C.0.68
D.6.8
