多项选择题
用纯元素掺杂剂掺杂时，描述正确的是（）
A.用纯元素掺杂剂掺杂的量与多晶硅中的杂质沾污的量比较，可以忽略不计
B.用纯元素做掺杂剂单晶分凝效应较小，可以不考虑
C.用纯元素做掺杂剂单晶一般在气氛下生长，热发效应较小，可以不考虑
D.用纯元素掺杂剂掺杂的量与坩埚、氩气等沾污的量比较，不可忽略
点击查看答案&解析
相关考题
-
多项选择题
半导体内含微量杂质元素，半导体的电阻率将发生很大变化，这种变化从两个方面考虑正确的是（）
A.施主杂质和受主杂质大大改变载流子浓度，使载流浓度增加
B.施主杂质和受主杂质大大改变载流子浓度，使载流浓度减小
C.电离杂质原子使载流子的迁移增加
D.电离杂质原子使载流子的迁移减小 -
多项选择题
直拉单晶过程中的环境污染描述正确的是（）
A.在单晶拉制过程中，石英坩埚的纯度远远高于多晶硅的纯度，对硅料的不产生影响
B.装炉操作过程也不可避免的污染了多晶、坩埚和籽晶
C.在氩气下拉制硅单晶时，氩气纯度最高只有99.99%，氩气中的氧气和石墨作用生成一氧化碳，氩气中的氮气、水分也会在高温下和石墨作用，这些反应生成物一部分进入熔硅，使熔硅纯度降低
D.多晶硅在腐蚀、清洗、烘干过程中，高纯水、空气和烘箱也会使多晶污染 -
多项选择题
正常凝固是一种理想化的凝固过程，它必须符合下列条件（）
A.杂质（溶质）在固相中的扩散速度比凝固速度小的多，可以忽略不计
B.杂质在熔体中扩散速度（包括对流）比凝固速度大的多，熔体中的杂质时时处处分布均匀
C.杂质分凝系数是常数
D.晶体和坩埚旋转强烈搅拌，使结晶分凝出的杂质和熔体中杂质含量微少
