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直拉单晶硅工艺学
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填空题
硅单晶各晶面之间的（）是不同的，各晶面上的原子密度也不同。
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晶体生长时，（）是形成新晶面需要的动力。
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晶体生长时，面间距大的晶面间，原子的吸引力小，新的晶面形成难度（）。
填空题
晶体生长时，各晶面的（）不同，面密度大的晶面。
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