单项选择题
关于硅的晶体结构,以下说法正确的是()
A.硅是闪锌矿结构
B.单晶硅中原子排列整齐有序,所以单晶硅不同晶面的性质也是一样的
C.多晶硅长程无序,芯片制造中是不会使用多晶硅的
D.单晶硅中最常见的晶向是[100],[110],[111]
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单项选择题
关于半导体中的载流子,以下说法不正确的有()
A.电子会顺着浓度差方向扩散
B.空穴会顺着浓度差方向扩散
C.电子会顺着电场方向漂移
D.空穴会顺着电场方向漂移 -
单项选择题
已知硅半导体中每立方厘米掺有1017个硼原子,则:()
A.这是N-Si
B.电子浓度为1017cm-3
C.该半导体中空穴为少数载流子
D.该半导体的费米能级在禁带中心下方 -
单项选择题
关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是()
A.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度
D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
