单项选择题
MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。
A.相同、减小
B.相同、增加
C.不同、增加
D.不同、减小
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单项选择题
设在金属与n型半导体之间加一电压，且n-Si接高电位，金属接低电位，使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势Vs=0.4V；外加电压为5V，施主浓度ND=1016cm-3，则耗尽层厚度约为（）。
A.93μm
B.73μm
C.63μm
D.83μm -
单项选择题
对于非理想的MIS结构，当半导体功函数小于金属功函数时，引起平带电压为（）；当绝缘层中存在负电荷时，若电荷密度（），或者电荷分布越（）金属一侧，平带电压的绝对值越大。
A.负值，越大，靠近
B.正值，越大，靠近
C.正值，越小，靠近
D.负值，越大，远离 -
多项选择题
硅肖特基二极管的特点（）
A.开关速度快
B.不存在少子存储效应
C.反向泄漏电流较PN结二极管大
D.多子和少子同时参与导电
