单项选择题
已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高0.026eV，则该p型半导体为（）半导体。
A.简并
B.非简并
C.弱简并
D.以上均不对
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单项选择题
考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将（）
A.升高
B.不变
C.无法判断
D.降低 -
多项选择题
连续性方程所描述的物理现象包括（）。
A.漂移、扩散
B.复合、产生
C.电荷产生电场
D.隧穿效应 -
多项选择题
假设其它条件不变，可以通过（）降低半导体材料的电阻率。
A.提高掺杂浓度
B.提高温度
C.采用迁移率高的半导体材料
D.采用禁带宽度窄的半导体材料
