下列关于去耦电容的说法，错误的是()。

A.电源输入端跨接10～100μF的电解电容器。
B.原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pF的瓷片电容，如遇印制板空隙不够，可每4～8个芯片布置一个1～10pF的钽电容。
C.对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的元件，如RAM、ROM存储元件，应在芯片的电源线和地线之间接入去耦电容。
D.高频旁路电容可以有引线。