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判断题
ICP-OES的物理干扰一般由样品的黏滞程度及表面张力变化而致。
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判断题
在ICP-OES分析中,应在最佳测量条件下,对每个被测元素选择2~3条谱线进行测定,分析比较每条谱线的强度、谱图及干扰情况,在此基础上选择各元素的最佳分析谱线。
判断题
在ICP-OES分析中,由于等离子体的焰炬温度很高,内焰区约6000~8000K,样品分子几乎完全离解,大大降低了化学干扰。
判断题
在ICP-OES分析中,如果雾化器和雾室是玻璃的,则应注意样品在制备时应避免使用氢氟酸,或将其赶尽后再上机分析,避免腐蚀性影响。
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