多项选择题
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确（）
A.靶温升高，临界剂量上升
B.注入离子越轻，临界剂量越小
C.注入离子剂量率增大，临界剂量降低
D.注入离子能量越高，临界剂量越低
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多项选择题
扩散系数在何时不可以看成是常数（）
A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼
B.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质
C.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质
D.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化 -
单项选择题
扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A.大，场助扩散
B.大，横向扩散
C.小，横向扩散
D.大，氧化增强 -
判断题
制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
