单项选择题
金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发射理论适用于（）半导体。
A.势垒区宽度等于电子的平均自由程
B.势垒区宽度远小于电子的平均自由程
C.不确定
D.势垒区宽度远大于电子的平均自由程
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单项选择题
金属与N型半导体形成的整流接触，扩散理论适用于（）半导体。
A.势垒区宽度远小于电子的平均自由程
B.势垒区宽度等于电子的平均自由程
C.势垒区宽度远大于电子的平均自由程
D.不确定 -
单项选择题
隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（）。
A.反偏电压绝对值的增加而减小
B.正偏电压的增加而增大
C.反偏电压绝对值的增加而增大
D.正偏电压的增加而减小 -
单项选择题
N型半导体形成的肖特基势垒二极管，其正向电流是（）。
A.半导体的少子流向金属形成，方向从金属指向半导体
B.半导体的多子流向金属形成，方向从半导体指向金属
C.半导体的少子流向金属形成，方向从半导体指向金属
D.半导体的多子流向金属形成，方向从金属指向半导体
