单项选择题
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；
b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；
c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
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单项选择题
光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。
A.电子束曝光技术
B.离子束曝光技术
C.X射线曝光技术 -
单项选择题
光刻加工的工艺过程为：（）
A.①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
B.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
C.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原 -
单项选择题
在进行纳米级测量非导体的零件表面形貌时，常采用的测量仪器为（）。
A.光学显微镜
B.扫描隧道显微镜
C.原子力显微镜
