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单项选择题
当逆向偏压从10V减少到5V时，二极管接面的空乏区将（）
A.变小
B.变大
C.不受影响
D.崩溃 -
单项选择题
三价杂质加到硅形成（）
A.锗
B.P型半导体
C.N型半导体
D.空乏区 -
单项选择题
当P型和N型半导体接触时，即会产生一空乏层，而P型半导体之空乏层内应有（）
A.电洞
B.电子
C.正离子
D.负离子
