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单项选择题
对于硅锗半导体，若其体内某处的电场从1×105V/cm降低至1×103V/cm，则其电子迁移率将（）。
A.增大
B.不变
C.减小
D.无法判断 -
单项选择题
空穴的扩散电流的方向，与（）相反。
A.空穴扩散的方向
B.空穴浓度梯度方向
C.空穴浓度逆梯度方向
D.电场方向 -
单项选择题
金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势Vs为（）。
A.正
B.负
C.零
D.无法判断
