多项选择题
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
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判断题
如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。 -
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拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。 -
单项选择题
磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率（）
A.轴向均匀
B.轴向递减
C.轴向递増
D.径向递减
