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半导体材料
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问答题
计算题
T=300K，n型硅衬底杂质浓度为N
D
=10
16
cm
-3
，计算肖特基势垒高度Φ
B0
、半导体侧的接触电势差V
bi
、空间电荷区厚度W。
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问答题
在NA=1015cm-3的p型硅衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO2层等效电荷面密度为3×1011cm-2，计算MOSFET的阈值电压。
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