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单项选择题
芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金，共熔点是为（）
A.320℃
B.356℃
C.380℃
D.280℃ -
单项选择题
集成电路的组装顺序是（）
A.中测→划片→粘片→键合→封装
B.划片→中测→键合→封装→检漏
C.划片→键合→中测→粘片→封装
D.中测→划片→组装→封装→键合 -
单项选择题
超声键合用的铝丝，含1%Si的冷拉铝丝，加硅的目的是（）
A.提高抗拉强度
B.提高抗氧化能力
C.提高导电能力
D.提高抗腐蚀能力
