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多项选择题
由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（）
A.氧沉淀
B.氧分离
C.氧施主
D.二次缺陷 -
多项选择题
以下（）选项都需要考虑晶体取向的影响。
A.管芯划片方向
B.单晶片的制备
C.单晶材料制备
D.器件的制作 -
多项选择题
通常用来制作靶的金属材料有（）
A.铬
B.铁
C.银
D.铜
