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单项选择题
一维情况下以突变pn结冶金学界面处为x轴的零点，计算室温下平衡硅pn结中导带底比n区电中性区高0.1eV的位置与耗尽区在n区边界xn间的距离（p区：Na=1E18cm-3，n区：Nd=1E16cm-3，εr=11.9）：（）
A.1.0um
B.0.1um
C.0.01um
D.0.5um -
单项选择题
Si器件中，典型的少子扩散长度的数量级在（）。
A.厘米
B.纳米
C.毫米
D.微米 -
单项选择题
Si芯片的最高工作温度约为（）摄氏度。
A.300
B.250
C.150
D.200
