单项选择题
关于“面注入的一维平面扩散”，以下说法错误的是（）
A.样品足够厚时，非平衡载流子从注入面到背光面边扩散边复合，按指数规律衰减
B.样品非常薄时，非平衡载流子边扩散边复合到达样品另一端
C.样品非常薄时，非平衡载流子在样品内呈线性分布
D.样品非常薄时，非平衡载流子来不及复合就扩散到了样品的另一端
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单项选择题
关于“光注入”，以下说法错误的是（）
A.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
B.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子 -
单项选择题
随着温度的升高，非简并n型半导体电导率的变化过程为（）
A.先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）
B.先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）
C.先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）
D.先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发） -
单项选择题
关于强电离区，以下说法正确的是（）
A.本征激发的影响不可忽略
B.本征激发的影响可以忽略
C.载流子浓度随温度升高按指数规律变化
D.费米能级不随温度变化
