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单项选择题
一般所说的电子崩，往往是指电子崩区域，电子崩头的电荷密度远远大于崩的中部和崩的尾部，且（）集中在崩头。
A.正电荷
B.分子流
C.负电荷
D.离子流 -
单项选择题
试验表明，击穿通道是局限在狭窄的（）形通道中，且有分支，说明放电过程与局部条件有关，有偶然因素。
A.管状
B.曲折
C.圆柱
D.圆锥 -
单项选择题
当外加（）很高，达到间隙的击穿场强时，电子崩的发展形成流注，实现击穿。
A.电压
B.电场
C.磁场
D.能量
