多项选择题
增大直流偏置电流IE对发射结势垒电容充放电时常数τe和基区渡越时间τb的影响进而对特征频率fT的影响是（）
A.使得τe增大而使得fT下降
B.使得τb增大而使得fT下降
C.使得τe减小而使得fT增加
D.使得τb减小而使得fT增加
点击查看答案&解析
相关考题
-
多项选择题
提高特征频率的主要技术途径包括（）
A.减小发射结面积
B.减小集电结面积
C.减小基区宽度
D.减小集电区掺杂浓度 -
单项选择题
为了保证共射极交流电流放大系数定义中要求的输出端C-E交流短路：（）
A.输出端C-E之间既不能加负载电阻RL也不能加直流偏置电压VCE
B.输出端C-E之间既可以加RL也可以加VCE
C.输出端C-E之间不能加RL但是能加VCE
D.输出端C-E之间能加RL但是不能加VCE -
单项选择题
增加基区掺杂浓度NB将导致电流放大系数α0和β0、膝点电流IKF、厄利电压VA：（）
A.α0↑、β0↑、IKF↑、VA↑
B.α0↓、β0↓、IKF↑、VA↑
C.α0↑、β0↑、IKF↓、VA↓
D.α0↓、β0↓、IKF↓、VA↓
