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硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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判断题
P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
判断题
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
判断题
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
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