单项选择题
对于n型半导体构成的非理想MIS结构,在()条件下半导体表面达到强反型。
A.高频B.低频C.VG=Vi+2VsD.VG=Vi+2Vs+VFB
单项选择题 金属-半导体(p型中等掺杂)接触在()条件下形成阻挡层,其电学特性为()。
单项选择题 杂质半导体进入全电离的温度存在()规律,进入本征激发区的温度存在()规律。
单项选择题 对于强N型半导体的直接复合,小注入时的非平衡载流子的寿命与()成反比,大注入时则与()成反比。Δ