填空题
若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻（）会明显变小。
不
填空题 场效应管与晶体管相比较，其输入电阻（）；噪声（）；温度稳定性（）；饱和压降（）；放大能力（）；频率特性（）；输出功率（）。
填空题 P沟道增强型MOS管的开启电压为（）值。N沟道增强型MOS管的开启电压为（）值。
填空题 对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（），并且只能当VGS（）时，才能形有Id。
