填空题 对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（），并且只能当VGS（）时，才能形有Id。

填空题 对于耗尽型MOS管，VGS可以为（）

填空题 场效应管漏极电流由（）载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流（）穿过PN结（能，不能）。