填空题
拉制硅单晶的电阻率范围不同，掺杂剂的形态也不一样，拉制低电阻率10-2～10-4欧姆•厘米的P型硅单晶，一般掺（）。
三族纯元素
填空题 拉制硅单晶的电阻率范围不同，掺杂剂的形态也不一样，拉制低电阻率10-2～10-3欧姆•厘米的N型硅单晶，一般掺（）。
填空题 常用作硅单晶的P型掺杂剂的是（）族元素，主要有（）。
填空题 常用作硅单晶的N型掺杂剂的是（）族元素，主要有（）。
