多项选择题
以下哪些措施可以提高MOSFET的跨导?()
A.减小沟道长度B.增加衬底掺杂浓度C.增加栅氧化层厚度D.增加沟道载流子迁移率
多项选择题 在实测的晶体管输出特性曲线中,IC在放大区随VCE的增加而略有增加,这是由()造成的。
单项选择题 在平衡状态下,电子的电流密度()。
多项选择题 单边突变结的()主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。