多项选择题
单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
A.内建电势B.耗尽区宽度C.最大电场D.势垒高度
多项选择题 输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散系数确定以后，漂移电流取决于（）。
多项选择题 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）
多项选择题 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）
