判断题 用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。

判断题 传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。

判断题 氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。