单项选择题
已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）
A.N，上方B.P，上方C.P，下方D.N ，下方
单项选择题 已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。
单项选择题 N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。
单项选择题 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的
