单项选择题
化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。
A.1、2 B.2、4 C.1、4 D.1、2、4 E.1、2、3、4
填空题 有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。
填空题 杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。
填空题 入射离子的两种能量损失模型为：核碰撞和（）碰撞。
