问答题
试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
GTR有二次击穿现象，而PowerMOSFET没有二次击穿现象的根本原因是这两种器件的工作载流子性质不同。GTR这类双极......
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问答题 试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
问答题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
问答题 Power MOSFET和GTR哪个易于并联，为什么？
