单项选择题
对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?()
A.AB.BC.CD.D
单项选择题 理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面进入强反型的条件是()
单项选择题 金属和半导体接触的整流特性可用于()
单项选择题 整流接触的特征是()