单项选择题
某N沟道MOSFET的阈值电压为1V,当其栅源电压短接且栅极电压为3V时,漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为()。
A.2A/V2B.3A/V2C.4A/V2D.1A/V2
单项选择题 某N沟道耗尽型MOSFET,其阈值电压为-2V,增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V,漏极电压为4V时,器件的漏源电流为()。
单项选择题 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响?()
单项选择题 某长方形扩散区的方块电阻为200Ω,长度和宽度分别为100μm和20μm,则其长度方向的电阻为()。