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微电子器件与IC设计基础

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单项选择题

‎某N沟道MOSFET的阈值电压为1V,当其栅源电压短接且栅极电压为3V时,漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为()。

A.2A/V2
B.3A/V2
C.4A/V2
D.1A/V2

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