问答题
硅扩散PN结，结面积为10-5cm2，结深为3μm，衬底浓度为N0=1015cm-3，外加电压V=-10V，通过计算比较，势垒电容取哪种更为合理？若结深为，其余参数不变，做那种近似合理？
问答题 理想硅PN结，ND=1016cm-3，在IV正偏压下，求N型中性区内存储的少数载流子总量。
问答题 试计算温度从300K增加至400K时，硅PN结反向电流增大多少倍？如果25℃时某锗PN结反向电流为10μA，当温度上升到45℃时反向电流有多大？
问答题 硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm-3，N区的寿命tp=10-5s，且Wn＞LP，300K下N型锗中Dp=45cm2/s，N型硅中Dp=13cm2/s，求外加偏压为-5V时，反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少？从中可以得到什么结论？
