问答题
试问单管DRAM单元的读出是不是破坏性的？怎样补充这一不足？（选作）有什么办法提高refresh time？
单管DRAM单元的读出是破坏性的，存放在单元中的电荷数量在读操作期间会被修改，因此为了使一次读操作后再恢复它原来的值，单......
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问答题 给出单管DRAM的原理图。并按图中已给出的波形画出X波形和BL波形，并大致标出电压值。
问答题 简述sram，flash memory及dram的区别？
问答题 预充电虽然在NOR ROM中工作得很好，但它应用到NAND ROM时却会出现某些严重的问题。请解释这是为什么？
