判断题
铸造多晶硅晶体生长完成后,硅锭保持在熔点附近2~4h,使硅锭温度均匀,以减少热应力。
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判断题 直流光电导衰退法可用于测量少子寿命,不需要接触硅片。
判断题 在铸造多晶硅锭中,氧在高度方向的分布是上部高下部低。
判断题 与高纯石英坩埚相比,高纯石墨坩埚的成本更低,但更可能引入碳污染和金属杂质污染。