单项选择题
占据晶格间隙位置的杂质原子为（）
A.原生长缺陷 B.替位杂质原子 C.本征点缺陷 D.间隙杂质原子
单项选择题 CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）
单项选择题 在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）
单项选择题 吸附时不发生任何化学变化，是（）
