多项选择题
CZ法产生位错的环节和方式有（）。
A.籽晶中的位错延伸、增殖B.晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力C.籽晶表面损伤、机械磨损裂痕D.单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
多项选择题 直拉单晶炉的主室包括（）。
多项选择题 由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。
多项选择题 以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。
