单项选择题
在理想MIS结构（n型半导体）开启电压VT的计算中，没有考虑强反型少子（即空穴）电荷的原因是（）。
A.反型空穴的浓度低于NdB.反型空穴与电子正好是电中性的C.反型空穴总数太少
单项选择题 双极型晶体管中开关时间常数最大的通常是（）。
单项选择题 关于复合电流，下列说法中正确的是（）。
单项选择题 Si的pn结，正向小偏压下，占据主导的电流分量是（）。
