单项选择题
Si的pn结，正向小偏压下，占据主导的电流分量是（）。
A.产生电流B.漂移电流C.扩散电流D.复合电流
单项选择题 迁移率的典型单位是（）。
单项选择题 关于NMOSFET发生GIDL现象时，描述错误的是（）。
单项选择题 在恒定电场缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则门延迟为原器件的（）倍。
