单项选择题 在恒定电场缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则门延迟为原器件的（）倍。

单项选择题 当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5V，则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是（）。

单项选择题 ‌在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅，其原因是（）。