单项选择题 ‌在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅，其原因是（）。

单项选择题 以下（）描述对于正常放大工作的NPN晶体管是正确的。

单项选择题 双极型晶体管硅管和锗管中，发射结势垒区复合电流对发射效率的影响，下列说法中正确的是（）。