问答题
证明反向饱和电流可以改写为。
问答题 证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。
问答题 现有硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为ND=5×1015cm-3，NA=1017cm-3，求300K时的VD各为多少？说明为什么会有这种差别？
问答题 PN结的扩散电势与哪些因素有关？
可以改写为
。