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直拉单晶硅工艺学

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填空题

生长电阻率为10-2欧姆•厘米至10-4欧姆•厘米硅单晶时,硅单晶含杂质多,掺杂量大,一般用()掺杂。

【参考答案】

纯元素掺杂剂

相关考题

填空题 以硅为例,若硅的纯度为9个“9”,即1立方厘米中含硅原子的百分数为(),也就是说1立方厘米的硅中含有的杂质占()PPb。

填空题 硅单晶中含有0.1PPba的硼时,一立方厘米硅中所含的硼原子数为()。

填空题 电离杂质原子使()减小,使电阻率增大。

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