多项选择题
在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
A.电离杂质散射为主B.晶格散射为主C.本征激发起主要作用D.杂质完全电离
单项选择题 下列情形中，室温下扩散系数最小的为（）。
单项选择题 对于中等掺杂的某半导体样品，T=450K时，其空穴扩散系数为15cm2/s，则空穴迁移率大约为（）cm2/V·s。
单项选择题 室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×106cm-3，掺杂浓度为ND=1015cm-3，电子和空穴的迁移率分别为8500cm2/V·s和400cm2/V·s。若外加电场强度为10V/cm，则其漂移电流密度为（）A/cm2。
