单项选择题 理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。

单项选择题 降低基区掺杂浓度，（）。

单项选择题 不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（）。